Impact of the oxide aperture width on the degradation of 845 nm VCSELs for silicon photonics
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2024
Stress
Oxide aperture
PICs
Optical beams
Vertical cavity surface emitting lasers
Resistance
Degradation
VCSEL
Diffusion
Degradation
Apertures
Optical imaging
Författare
M. Zenari
Università di Padova
M. Buffolo
Università di Padova
Fabiana Rampazzo
Università di Padova
C. De Santi
Università di Padova
Francesca Rossi
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo
Laura Lazzarini
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo
J. Goyvaerts
LIGENTEC SA
Alexander Grabowski
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
Johan Gustavsson
LIGENTEC SA
Roel G. Baets
Universiteit Gent
Anders Larsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
Gunther Roelkens
Universiteit Gent
G. Meneghesso
Università di Padova
E. Zanoni
Università di Padova
M. Meneghini
Università di Padova
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics
1077-260X (ISSN) 15584542 (eISSN)
Vol. In PressÄmneskategorier (SSIF 2011)
Telekommunikation
DOI
10.1109/JSTQE.2024.3415674