Numerical Modeling of Dynamic Thermal Coupling in GaN HEMTs Calibrated by Transient Measurements
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2024
gallium nitride (GaN)
Electrothermal device modeling
time-varying systems
Författare
Tobias Kristensen
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Torbjörn M.J. Nilsson
Saab
Andreas Divinyi
Saab
Johan Bremer
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Mattias Thorsell
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Saab
IEEE Transactions on Electron Devices
0018-9383 (ISSN) 15579646 (eISSN)
Vol. In PressÄmneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/TED.2024.3478180