A 5G FR1 43.5 dBm GaN Hybrid Doherty Power Amplifier with Dynamic Auxiliary Gate Voltage for Enhanced Gain at Saturation
Paper i proceeding, 2025
GaN Technology
Power Amplifier
Doherty PA
Linearity
5G FR1 Band
High Power
Författare
Abdolhamid Noori
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Silicon Austria Labs GmbH
Jorge Julian Moreno Rubio
Silicon Austria Labs GmbH
Christian Fager
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Gregor Lasser
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
2025 16th German Microwave Conference Gemic 2025
597-600
9783982039749 (ISBN)
Dresden, Germany,
Affordable smart GaN IC solutions as enabler of greener applications (ALL2GaN)
Europeiska kommissionen (EU) (EC/HE/101111890), 2023-05-01 -- 2026-04-30.
VINNOVA (2023-00451), 2023-05-01 -- 2026-04-30.
Ämneskategorier (SSIF 2025)
Annan elektroteknik och elektronik
Telekommunikation
Signalbehandling
DOI
10.23919/GeMiC64734.2025.10979016