A Balanced 100-114-GHz Millimeter-Wave GaAs MMIC Power Amplifier With High Gain
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2025
This letter presents a balanced MMIC power amplifier (PA) operating from 100 to 114 GHz for backhaul applications, fabricated using a commercial 0.1-μ m GaAs pHEMT technology. The amplifier achieves a saturated output power ranging from 20.3 to 24.1 dBm, with a power-added efficiency (PAE) between 5.3% and 11.9% across the operating band. Additionally, the amplifier provides up to 18.2-dB gain with only three common-source stages.
power amplifiers (PAs)
millimeter-wave (mmWave)
W band
Backhaul
Författare
Göksu Kaval
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Gotmic AB
Gregor Lasser
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Marcus Gavell
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Gotmic AB
Christian Fager
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
IEEE Microwave and Wireless Technology Letters
2771957X (ISSN) 27719588 (eISSN)
Vol. 35 12 2065-2068Uppgradering av den nationella infrastrukturen för terahertzkarakterisering för att möjliggöra nästa generation trådlösa tillämpningar och instrument för fjärranalys
Vetenskapsrådet (VR) (2020-06187), 2021-01-01 -- 2024-12-31.
Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Nanovetenskap och nanoteknik
Infrastruktur
Kollberglaboratoriet
Ämneskategorier (SSIF 2025)
Annan elektroteknik och elektronik
Telekommunikation
DOI
10.1109/LMWT.2025.3606289