1200V 5.2 mohmcm2 4H-SiC BJTs with a high common-emitter current gain
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2007

Författare

H. S. Lee

M. Domeij

C.M. Zetterling

Mikael Östling

Fredrik Allerstam

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Einar Sveinbjörnsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Publicerad i

IEEE Electron Device Letters

Vol. 28 Nummer/häfte 11 s. 1007-1009

Kategorisering

Ämneskategorier (SSIF 2011)

Elektroteknik och elektronik

Identifikatorer

Mer information

Skapat

2017-10-08