1200V 5.2 mohmcm2 4H-SiC BJTs with a high common-emitter current gain
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2007

Författare

H. S. Lee

M. Domeij

C.M. Zetterling

Mikael Östling

Fredrik Allerstam

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Einar Sveinbjörnsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

IEEE Electron Device Letters

Vol. 28 11 1007-1009

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

Mer information

Skapat

2017-10-08