Can molecular resonant tunneling diodes be used for local refresh of DRAM memory cells?
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2000

Negative differential resistance

molecular electronics

resonant tunnelling diodes

low power DRAM memory cells

Författare

Jonas Berg

Institutionen för mikroelektronik, Fasta tillståndets elektronik

Forskning Andra publikationer

Per Lundgren

Institutionen för mikroelektronik, Fasta tillståndets elektronik

Forskning Andra publikationer

Stefan Bengtsson

Institutionen för mikroelektronik, Fasta tillståndets elektronik

Forskning Andra publikationer

Solid-State Electronics

0038-1101 (ISSN)

Vol. 44 12 2247-2252

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

DOI

10.1016/S0038-1101(00)00204-5

Publikationsdata kopplat till DOI

Mer information

Skapat

2017-10-06

Feedback och support

Om du har frågor, behöver hjälp, hittar en bugg eller vill ge feedback kan du göra det här nedan. Du når oss också direkt per e-post research.lib@chalmers.se eller via telefon 031-772 3744.

Om tjänsten

Research.chalmers.se innehåller information om forskning på Chalmers, publikationer och projekt inklusive information om finansiärer och samarbetspartners.

Läs mer om tjänsten, täckningsgrad och vilka som kan se informationen

Personuppgifter och cookies

Länkar

Chalmers bibliotek
Chalmers forskning
Forskningsprojekt på chalmers.se

Chalmers tekniska högskola

412 96 GÖTEBORG
TELEFON: 031-772 10 00
WWW.CHALMERS.SE