Can molecular resonant tunneling diodes be used for local refresh of DRAM memory cells?
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2000

Negative differential resistance

molecular electronics

resonant tunnelling diodes

low power DRAM memory cells

Författare

Jonas Berg

Institutionen för mikroelektronik, Fasta tillståndets elektronik

Per Lundgren

Institutionen för mikroelektronik, Fasta tillståndets elektronik

Stefan Bengtsson

Institutionen för mikroelektronik, Fasta tillståndets elektronik

Solid-State Electronics

0038-1101 (ISSN)

Vol. 44 12 2247-2252

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

DOI

10.1016/S0038-1101(00)00204-5