Photoluminescence microscopy investigation of lattice relaxation and defect formation processes in pseudomorphically strained InGaAsN multiple quantum wells
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2008

Författare

W Lu

S. Chao

A.V. Adrianov

V.A. Grant

R.P. Campion

Tom Foxon

Mahdad Sadeghi

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Nanotekniklaboratoriet

Shu Min Wang

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Anders Larsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Eric Larkins

Physica Status Solidi C

Vol. 5 2 467-472

Ämneskategorier

Telekommunikation

Mer information

Skapat

2017-10-07