Surface passivation oxide effects on the current gain of 4H-SiC bipolar junction transistors
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2008

Författare

Hyung-Seok Lee

Martin Domeij

Carl-Mikael Zetterling

Mikael Östling

Fredrik Allerstam

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Einar Sveinbjörnsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Applied Physics Letters

Vol. 92 082113-

Ämneskategorier

Materialteknik

Den kondenserade materiens fysik

Mer information

Skapat

2017-10-06