Post-growth annealing of (Ga,Mn)As under As capping - an alternative way to increase Tc
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2005
Författare
Martin Adell
Chalmers, Institutionen för experimentell fysik, Kondenserade materiens elektronstruktur
Lars Ilver
Chalmers, Institutionen för experimentell fysik, Kondenserade materiens elektronstruktur
Janusz Kanski
Chalmers, Institutionen för experimentell fysik, Kondenserade materiens elektronstruktur
V. Stanciu
P. Svedlindh
J. Sadowski
J. Z. Domagala
F. Terki
C. Hernandez
S. Charar
Applied Physics Letters
0003-6951 (ISSN) 1077-3118 (eISSN)
Vol. 86 112501-Ämneskategorier
Fysik
DOI
10.1063/1.1875746