Post-growth annealing of (Ga,Mn)As under As capping - an alternative way to increase Tc
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2005

Författare

Martin Adell

Chalmers, Institutionen för experimentell fysik, Kondenserade materiens elektronstruktur

Lars Ilver

Chalmers, Institutionen för experimentell fysik, Kondenserade materiens elektronstruktur

Janusz Kanski

Chalmers, Institutionen för experimentell fysik, Kondenserade materiens elektronstruktur

V. Stanciu

P. Svedlindh

J. Sadowski

J. Z. Domagala

F. Terki

C. Hernandez

S. Charar

Applied Physics Letters

0003-6951 (ISSN) 1077-3118 (eISSN)

Vol. 86 112501-

Ämneskategorier

Fysik

DOI

10.1063/1.1875746