Growth of Fe doped semi-insulating GaN on sapphire and 4H-SiC by MOCVD
Paper i proceeding, 2005
Författare
Mariusz Rudzinski
Vincent Desmaris
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Paul Van Hal
J Weyher
Paul Hageman
Kristina Dynefors
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Thomas Rödle
Hendrikus Jos
Herbert Zirath
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Pol larsen
International Conference on Nitride Semiconductor ICNS-6
Ämneskategorier
Bearbetnings-, yt- och fogningsteknik
Övrig annan teknik
Annan elektroteknik och elektronik