Modeling of Long Term Memory Effects in RF Power Amplifiers with Dynamic Parameters
Paper i proceeding, 2012

This paper presents a new radio frequency power amplifier behavioral model that is capable of modeling long term memory effects. The proposed model is derived by assuming linear dependence of the parameters of a conventional model to a long term memory parameter, which enables the model to better track the signal-induced changes of the power amplifier electrical behavior. The model is experimentally tested and shows a 2-3 dB improvement compared to common behavioral models.

Författare

Ali Soltani Tehrani

Chalmers, Signaler och system, Kommunikation, Antenner och Optiska Nätverk

Gigahertzcentrum

Thomas Eriksson

Chalmers, Signaler och system, Kommunikation, Antenner och Optiska Nätverk

Gigahertzcentrum

Christian Fager

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Gigahertzcentrum

IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest

0149645X (ISSN)

Art. no. 6259496- 6259496
978-146731087-1 (ISBN)

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Ämneskategorier

Telekommunikation

Signalbehandling

Annan elektroteknik och elektronik

DOI

10.1109/MWSYM.2012.6259496

ISBN

978-146731087-1

Mer information

Skapat

2017-10-07