High CW power 0.3 um gate AlGaN/GaN HEMTs grown by MBE on sapphire
Paper i proceeding, 2004
Författare
Vincent Desmaris
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Joakim Eriksson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Niklas Rorsman
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Herbert Zirath
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Materials Science Forum
Vol. 457-460 2 1629-
Ämneskategorier
Övrig annan teknik
Annan elektroteknik och elektronik