A power detector based on GaN high-electron-mobility transistors for a gigabit on–off keying demodulator at 90 GHz
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2019
Författare
Tongde Huang
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Sining An
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Johan Bergsten
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Zhongxia Simon He
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Niklas Rorsman
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Japanese Journal of Applied Physics
0021-4922 (ISSN) 13474065 (eISSN)
Vol. 58 SC SCCD19Ämneskategorier
Atom- och molekylfysik och optik
Annan fysik
Den kondenserade materiens fysik
DOI
10.7567/1347-4065/ab09d9