AlGaAs/GaAs and InAlAs/InGaAs Heterostructure Barrier Varactors
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 1997

By the Schrödinger and Poisson equations, we have theoretically investigated AlGaAs/GaAs and InAlAs/InGaAs single barrier varactors. The energy band structure, carrier distribution, and conduction current are fully exploited for varactor design. We have explained the experimental current-voltage and capacitance-voltage measurements very well. A simple analytical model for energy band structure is derived based on the Schrödinger and Poisson equation calculation. It is found that a barrier structure of 3 nm Al0.3Ga0.7As/3 nm AlAs/3nm Al0.3Ga0.7As for an Al0.3Ga0.7As/GaAs varactor and a barrier structure of 8 nm In0.52Al0.48As/3 nm AlAs/8 nm In0.52Al0.48As for In0.52Al0.48As/In0.47GaAs are optimal for minimal conduction currents.

physical simulation

frequency multiplier

HBV

Författare

Ying Fu

Chalmers, Forskargrupp för fysikalisk elektronik och fotonik

Jan Stake

Institutionen för mikrovågsteknik

Lars Dillner

Institutionen för mikrovågsteknik

Magnus Willander

Chalmers, Forskargrupp för fysikalisk elektronik och fotonik

Erik Kollberg

Institutionen för mikrovågsteknik

Journal of Applied Physics

0021-8979 (ISSN) 1089-7550 (eISSN)

Vol. 82 5568-5572

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Nanovetenskap och nanoteknik

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

Den kondenserade materiens fysik

DOI

10.1063/1.366461