Capacitance Analysis for AlGaAs/GaAs and InAlAs/InGaAs Heterostructure Barrier Varactor Diodes
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 1998

By self-consistently solving Schro¨dinger and Poissons equations, we have investigated the capacitances of AlGaAs/GaAs and InAlAs/InGaAs heterostructure barrier varactors. When compared with semiclassical particle model, quantum mechanics show that the maximal capacitance of the varactor is saturated when the spacer and barrier are thin. When the spacer and barrier are very thick, both the quantum mechanics and semiconductor particle approach result in the same conclusion, namely, the maximal capacitance is inversely proportional to the sum of the spacer and barrier thicknesses. We have also shown that the maximal capacitance increases for high carrier effective mass.




Ying Fu

Chalmers, Forskargrupp för fysikalisk elektronik och fotonik

Lars Dillner

Institutionen för mikrovågsteknik

Jan Stake

Institutionen för mikrovågsteknik

Magnus Willander

Chalmers, Forskargrupp för fysikalisk elektronik och fotonik

Erik Kollberg

Institutionen för mikrovågsteknik

Journal of Applied Physics

0021-8979 (ISSN) 1089-7550 (eISSN)

Vol. 83 3 1457-1462


Informations- och kommunikationsteknik

Nanovetenskap och nanoteknik (SO 2010-2017, EI 2018-)


Annan elektroteknik och elektronik

Den kondenserade materiens fysik



Mer information