Interface trap properties of thermally oxidized n-type 4H-SiC and 6H-SiC
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2005

Författare

Tamara Rudenko

I. Osiyuk

I. Tyagulski

Halldor Olafsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Einar Sveinbjörnsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Solid State Electronics

Vol. 49 545-553

Ämneskategorier

Den kondenserade materiens fysik

Mer information

Skapat

2017-10-06