Transfer of InP-based HBV epitaxy onto borosilicate glass substrate by anodic bonding
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2010

We present a new fabrication process for epitaxial transfer of InP-based heterostructure barrier varactor diodes, as high frequency varactor multipliers, onto low-dielectric borosilicate glass substrate, employing anodic bonding. The fabricated diodes on the new host substrate display symmetric electrical characteristics with only minor differences compared to those of the reference devices on the original InP substrate.

III-V SEMICONDUCTORS

GLASS

HBV

EPITAXIAL LIFT-OFF

WAFER BONDING

SUBMILLIMETRE WAVE DEVICES

Författare

Mohammad Hadi Tavakoli Dastjerdi

Chalmers, Teknisk fysik, Fysikalisk elektronik

Anke Sanz-Velasco

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Elektronikmaterial och system

Josip Vukusic

Chalmers, Teknisk fysik, Fysikalisk elektronik

Mahdad Sadeghi

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Nanotekniklaboratoriet

Jan Stake

Chalmers, Teknisk fysik, Fysikalisk elektronik

Electronics Letters

0013-5194 (ISSN) 1350-911X (eISSN)

Vol. 46 1013-1014

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

DOI

10.1049/el.2010.0760