Interface state properties of high-k/SiOx/Si interfaces portrayed by multiparameter admittance spectroscopy
Paper i proceeding, 2010

Författare

Bahman Raeissi

Chalmers, Teknisk fysik, Fysikalisk elektronik

T Gutt

H. D. B. Gottlob

H.M. Przewlocki

Olof Engström

Chalmers, Teknisk fysik, Fysikalisk elektronik

Proceedings of the 16th Workshop on Dielectrics in Microelectronics, p. 103, Bratislava, June 28 - 30 2010

Ämneskategorier

Övrig annan teknik

Mer information

Skapat

2017-10-08