Enhancement of inversion channel mobility in 4H-SiC MOSFETs using a gate oxide grown in nitrous oxide (N2O)
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2004

channel mobility

MOSFET

nitrous oxide

interface states

Författare

Gudjon Gudjonsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Halldor Olafsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Einar Sveinbjörnsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Materials Science Forum

Vol. 457-460 1425-1428

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik