Enhancement of inversion channel mobility in 4H-SiC MOSFETs using a gate oxide grown in nitrous oxide (N2O)
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2004
channel mobility
MOSFET
nitrous oxide
interface states
Författare
Gudjon Gudjonsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
Halldor Olafsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
Einar Sveinbjörnsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
Materials Science Forum
Vol. 457-460 1425-1428
Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik