Enhancement of inversion channel mobility in 4H-SiC MOSFETs using a gate oxide grown in nitrous oxide (N2O)
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2004

channel mobility

MOSFET

nitrous oxide

interface states

Författare

Gudjon Gudjonsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Halldor Olafsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Forskning Andra publikationer

Einar Sveinbjörnsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Forskning Andra publikationer

Materials Science Forum

Vol. 457-460 1425-1428

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

Mer information

Skapat

2017-10-06

Feedback och support

Om du har frågor, behöver hjälp, hittar en bugg eller vill ge feedback kan du göra det här nedan. Du når oss också direkt per e-post research.lib@chalmers.se.

Om tjänsten

Research.chalmers.se innehåller information om forskning på Chalmers, publikationer och projekt inklusive information om finansiärer och samarbetspartners.

Läs mer om tjänsten, täckningsgrad och vilka som kan se informationen

Personuppgifter och cookies

Tillgänglighet

Citation Style Language
citeproc-js (Frank Bennett)

Länkar

Chalmers bibliotek
Chalmers forskning
Chalmers examensarbeten

Chalmers tekniska högskola

412 96 GÖTEBORG
TELEFON: 031-772 10 00
WWW.CHALMERS.SE