Monte Carlo study of kink effect in isolated-gate InAs/AlSb high electron mobility transistors
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2010
hemts
performance
semiconductors
transport
impact ionization
inas
simulation
noise
holes
Författare
Beatriz G. Vasallo
Universidad de Salamanca
H. Rodilla
Universidad de Salamanca
T. Gonzalez
Universidad de Salamanca
Giuseppe Moschetti
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Jan Grahn
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
J. Mateos
Universidad de Salamanca
Journal of Applied Physics
0021-8979 (ISSN) 1089-7550 (eISSN)
Vol. 108 9 094505Semiconductor Nanodevices for Room temperature THz Emission and Detection (ROOTHz)
Europeiska kommissionen (EU) (EC/FP7/243845), 2010-01-01 -- 2013-01-31.
Ämneskategorier
Fysik
DOI
10.1063/1.3503430