Multiparameter admittance spectroscopy (Invited)
Paper i proceeding, 2010

Multiparameter admittance spectroscopy is described for investigating interface state properties of metal-oxide-semiconductor structures. In the conductance mode of this method, it allows for obtaining three-dimensional or contour plots of conductance data which reveal the mechanisms for capture of charge carriers into the interface states.

Författare

Olof Engström

Chalmers, Teknisk fysik, Fysikalisk elektronik

Bahman Raeissi

Chalmers, Teknisk fysik, Fysikalisk elektronik

ECS Transactions

1938-5862 (ISSN) 1938-6737 (eISSN)

Vol. 35 3 257-265

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Nanovetenskap och nanoteknik

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

DOI

10.1149/1.3481613

ISBN

978-156677822-0

Mer information

Skapat

2017-10-07