High efficiency W-band HBV Tripler and Device Reliability Studies
Paper i proceeding, 2006

We report on the design and MBE-growth of heterostructure barrier varactor (HBV) diode materials. The quality and performance of in-house HBV materials are presented. Furthermore, temperature operating life tests of the HBV diodes indicate a maximum operating temperature of 180°C before onset of severe degradation. Finally, a state-of-the-art tripler efficiency of 21% for a W-band tripler has been demonstrated using planar 2x2-barrier HBV diodes (Chalmers MBE766).

millimetre wave source

frequency multiplier

HBV

reliability study

Författare

Jan Stake

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågs- och terahertzteknologi

Arezoo Emadi

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Josip Vukusic

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Tomas Bryllert

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Mahdad Sadeghi

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Nanotekniklaboratoriet

Bue Frederic

Nicolas Vellas

Byron Alderman

4th ESA Workshop on Millimetre Wave Technology and Applications

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik