Integrated III-V Heterostructure Barrier Varactor frequency tripler on a silicon substrate
Paper i proceeding, 2012

We report on the RF characterization of a monolithically integrated III-V H eterostructure Barrier Varactor (HBV) frequency tripler on a silicon substrate. A process of a low-temperature plasma-assisted bonding was introduced to transfer an InGaAs/InAlAs/AlAs H BV onto a silicon wafer. The frequency of operation for the presented frequency tripler is in the range of 96-108GHz. The maximum output power measured for the demonstrated device is 66mW, which corresponds to an efficiency of 10%.

W-band

Epitaxial transfer

frequency tripler

heterostrucutre barrier varactor (HBV)

millimeter-wave

Författare

Aleksandra Malko

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Tomas Bryllert

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Josip Vukusic

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Jan Stake

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

7th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Amsterdam, 29-30 Oct. 2012.

516-519

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Infrastruktur

Nanotekniklaboratoriet

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

ISBN

978-1-4673-2302-4

Mer information

Skapat

2017-10-07