Inhomogeneous Microstructure and Electrical Transport Properties at the LaAlO3/SrTiO3 Interface
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2012

Medium-energy ion spectroscopy (MEIS), scanning transmission electron microscopy (STEM) and X-ray photoemission spectroscopy (XPS) were used to investigate the composition and microstructure of LaAlO3/SrTiO3 (LAO/STO) interfaces grown by pulsed laser deposition of LAO on TiO2-terminated STO substrates under different oxidizing conditions. MEIS and XPS indicated Sr/La and Al/Ti intermixing within several atomic layers at all studied interfaces. XPS and STEM revealed that La diffuses deeper than Al. Analysis of the MEIS data suggests inhomogeneous lateral distribution of the diffused elements. This is further supported by the observation of a large positive magneto-resistance at low temperatures. We discuss the role of lateral inhomogeneities on the formation of the electron gas at the LAO/STO interface.

growth

room-temperature

heterointerface

oxide heterostructures

Författare

Alexei Kalaboukhov

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Kvantkomponentfysik

Tord Claeson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Kvantkomponentfysik

Pier Paolo Aurino

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Kvantkomponentfysik

Robert Gunnarsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Kvantkomponentfysik

Dag Winkler

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Kvantkomponentfysik

Eva Olsson

Chalmers, Teknisk fysik, Eva Olsson Group

Nikolina Tuzla

Chalmers, Teknisk fysik, Eva Olsson Group

Johan Börjesson

Chalmers, Teknisk fysik, Mikroskopi och mikroanalys

Chalmers, Teknisk fysik, Eva Olsson Group

Yu Cao

Chalmers, Material- och tillverkningsteknik, Yt- och mikrostrukturteknik

Lars Nyborg

Chalmers, Material- och tillverkningsteknik, Yt- och mikrostrukturteknik

Y. A. Boikov

Russian Academy of Sciences

I.T. Serenkov

Russian Academy of Sciences

V.I. Sakharov

Russian Academy of Sciences

M. P. Volkov

Russian Academy of Sciences

Japanese Journal of Applied Physics

0021-4922 (ISSN)

Vol. 51 11(spec.issue) article no. 11PG10 -

Ämneskategorier

Den kondenserade materiens fysik

DOI

10.1143/JJAP.51.11PG10

Mer information

Senast uppdaterat

2018-07-04