On the Mechanism of MoSi2 Pesting in the Temperature Range 400–500°C
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2000
pest layer
peak pesting temperature
thermogravimetric analysis
scanning electron microscope
low temperature oxidation
Författare
Kristina Hansson
Chalmers, Institutionen för oorganisk miljökemi
Mats Halvarsson
Chalmers, Institutionen för experimentell fysik, Mikroskopi och mikroanalys
Jun Eu Tang
Chalmers, Institutionen för experimentell fysik, Mikroskopi och mikroanalys
Jan-Erik Svensson
Chalmers, Institutionen för oorganisk miljökemi
Mats Sundberg
Robert Pompe
Ceramic Engineering and Science Proceedings
0196-6219 (ISSN) 1940-6339 (eISSN)
Vol. 21 4 469-476Ämneskategorier
Oorganisk kemi
Materialkemi
Drivkrafter
Hållbar utveckling
Styrkeområden
Energi
Materialvetenskap
Fundament
Grundläggande vetenskaper