Analytical Extraction of a Schottky Diode Model from Broadband S-parameters
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2013

We present an analytic method to extract Schottky diode parasitic model parameters. All the ten unknown model parameters are extracted via a straightforward step-by-step procedure. The challenges for a proper finger inductance and series resistance extraction are discussed and solutions are recommended. The proposed method is evaluated using three sets of S-parameter data for GaAs-based planar Schottky diodes, i.e., data from measurement up to 110 GHz and 3-D electromagnetic full-wave simulations up to 600 GHz. The extracted models agree well with the measured and simulated data.

terahertz.

Schottky diodes

multibias

parameter extraction

equivalent circuits

millimeter-wave devices

Analytical model

modeling

scattering parameters

Författare

Aik-Yean Tang

GigaHertz Centrum

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Vladimir Drakinskiy

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

GigaHertz Centrum

Klas Yhland

GigaHertz Centrum

Jörgen Stenarson

GigaHertz Centrum

Tomas Bryllert

GigaHertz Centrum

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Jan Stake

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

GigaHertz Centrum

IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques

0018-9480 (ISSN)

Vol. 61 5 1870-1878

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

Infrastruktur

Nanotekniklaboratoriet

DOI

10.1109/TMTT.2013.2251655

Mer information

Skapat

2017-10-07