Effect of Si cap layer on parasitic channel operation in Si/SiGe metal-oxide-semiconductor structures
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2003
Författare
Alok Sareen
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik
Y. Wang
Ulf Södervall
Maskinkonstruktion och design, MC2 process laboratorium
Per Lundgren
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik
Stefan Bengtsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik
Journal Of Applied Physics
Vol. 93 6 3545-3552
Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik