Ultra-clean Si/Si interface formation by surface preparation and direct bonding in ultra-high vacuum
Paper i proceeding, 1998

Silicon surfaces have been cleaned and bonded in ultra-high vacuum at a pressure in the 10-10 torr range. The bonded interfaces show extremely low contamination levels as measured by secondary ion mass spectroscopy. Nevertheless, a potential barrier could be detected at the interface spreading resistance and current vs. temperature measurements. This suggests that the barrier is caused by inevitable dislocation networks due to wafer misorientation, as well as residual oxygen at the interface

wafer bonding

dislocations

electric current

surface contamination

secondary ion mass spectra

vacuum techniques

surface cleaning

silicon

interface structure

mass spectroscopic chemical analysis

electric resistance

elemental semiconductors

Författare

Karin Hermansson

Francois Grey

Stefan Bengtsson

Institutionen för fasta tillståndets elektronik

Forskning Andra publikationer

Ulf Södervall

Institutionen för fysik

Forskning Andra publikationer

Proceedings of the Fourth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology, and Applications

401-

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

Mer information

Skapat

2017-10-07

Feedback och support

Om du har frågor, behöver hjälp, hittar en bugg eller vill ge feedback kan du göra det här nedan. Du når oss också direkt per e-post research.lib@chalmers.se.

Om tjänsten

Research.chalmers.se innehåller information om forskning på Chalmers, publikationer och projekt inklusive information om finansiärer och samarbetspartners.

Läs mer om tjänsten, täckningsgrad och vilka som kan se informationen

Personuppgifter och cookies

Tillgänglighet

Citation Style Language
citeproc-js (Frank Bennett)

Länkar

Chalmers bibliotek
Chalmers forskning
Chalmers examensarbeten

Chalmers tekniska högskola

412 96 GÖTEBORG
TELEFON: 031-772 10 00
WWW.CHALMERS.SE