Low temperature oxides deposited by remote plasma enhanced CVD
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 1994

A remote plasma enhanced chemical vapor deposition (RPECVD) process was used to prepare SiO2-Si structures at ~300°C. The best midgap interface trap densities, Ditm, as obtained by C-V techniques are 6-8×1010 cm-2eV-1 for SiO2-Si(100) and 2-3×1011 cm-2eV-1 for SiO2-Si(111)

integrated circuit technology

silicon

interface states

plasma CVD

capacitance

dielectric thin films

silicon compounds

electron traps

hole traps

elemental semiconductors

Författare

Lars-Åke Ragnarsson

Institutionen för fasta tillståndets elektronik

Stefan Bengtsson

Institutionen för fasta tillståndets elektronik

Mats O. Andersson

Institutionen för fasta tillståndets elektronik

Ulf Södervall

Institutionen för fysik

Proceedings of the Second International Symposium on Ultra-Clean Processing of Silicon Surfaces (UCPSS '94)

117-

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik