Low temperature oxides deposited by remote plasma enhanced CVD
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 1994

A remote plasma enhanced chemical vapor deposition (RPECVD) process was used to prepare SiO2-Si structures at ~300°C. The best midgap interface trap densities, Ditm, as obtained by C-V techniques are 6-8×1010 cm-2eV-1 for SiO2-Si(100) and 2-3×1011 cm-2eV-1 for SiO2-Si(111)

integrated circuit technology

silicon

interface states

plasma CVD

capacitance

dielectric thin films

silicon compounds

electron traps

hole traps

elemental semiconductors

Författare

Lars-Åke Ragnarsson

Institutionen för fasta tillståndets elektronik

Stefan Bengtsson

Institutionen för fasta tillståndets elektronik

Forskning Andra publikationer

Mats O. Andersson

Institutionen för fasta tillståndets elektronik

Ulf Södervall

Institutionen för fysik

Forskning Andra publikationer

Proceedings of the Second International Symposium on Ultra-Clean Processing of Silicon Surfaces (UCPSS '94)

117-

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

Mer information

Skapat

2017-10-07

Feedback och support

Om du har frågor, behöver hjälp, hittar en bugg eller vill ge feedback kan du göra det här nedan. Du når oss också direkt per e-post research.lib@chalmers.se.

Om tjänsten

Research.chalmers.se innehåller information om forskning på Chalmers, publikationer och projekt inklusive information om finansiärer och samarbetspartners.

Läs mer om tjänsten, täckningsgrad och vilka som kan se informationen

Personuppgifter och cookies

Tillgänglighet

Citation Style Language
citeproc-js (Frank Bennett)

Länkar

Chalmers bibliotek
Chalmers forskning
Chalmers examensarbeten

Chalmers tekniska högskola

412 96 GÖTEBORG
TELEFON: 031-772 10 00
WWW.CHALMERS.SE