Design and Characterization of H-Band (220-325 GHz) Amplifiers in a 250-nm InP DHBT Technology
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2014
millimeter-wave amplifier
LOW-NOISE AMPLIFIER
RECEIVER
Double heterojunction bipolar transistor (DHBT)
indium phosphide (InP)
SUBMILLIMETER-WAVE
monolithic microwave integrated circuit (MMIC)
H-band
Författare
Klas Eriksson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Sten Gunnarsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Vessen Vassilev
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Herbert Zirath
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology
2156-342X (ISSN) 21563446 (eISSN)
Vol. 4 1 56-64 6583229Ämneskategorier
Fysik
DOI
10.1109/tthz.2013.2275900