20 μm gate width CVD graphene FETs for 0.6 THz detection
Paper i proceeding, 2014

We have fabricated 20 μm gate width graphene field effect transistors (GFETs) based on graphene grown by chemical vapor deposition (CVD). These GFETs are integrated with split bow-tie antennae for room temperature, direct detection of a 0.6 THz signal. Our detectors reach a maximum optical responsivity of 3.0 V/W and a minimum noise-equivalent power (NEP) of 700 pW/Hz^0.5. The successful demonstration of THz detection using CVD graphene introduces the possibility for scalable detector production.

antenna-integrated detectors

CVD graphene

Graphene field effect transistors

direct terahertz detection

Författare

Audrey Zak

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

MICHAEL ANDERSSON

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Maris Bauer

Johann Wolfgang Goethe Universität Frankfurt am Main

Alvydas Lisauskas

Johann Wolfgang Goethe Universität Frankfurt am Main

Hartmut Roskos

Johann Wolfgang Goethe Universität Frankfurt am Main

Jan Stake

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

39th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves, IRMMW-THz 2014,

2162-2027 (ISSN)

Art. no. 6956250-

39th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves, IRMMW-THz
Tucson, AZ, USA, ,

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Nanovetenskap och nanoteknik

Infrastruktur

Kollberglaboratoriet

Nanotekniklaboratoriet

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

Nanoteknik

DOI

10.1109/IRMMW-THz.2014.6956250

Mer information

Senast uppdaterat

2018-07-12