20 μm gate width CVD graphene FETs for 0.6 THz detection
Paper i proceeding, 2014

We have fabricated 20 μm gate width graphene field effect transistors (GFETs) based on graphene grown by chemical vapor deposition (CVD). These GFETs are integrated with split bow-tie antennae for room temperature, direct detection of a 0.6 THz signal. Our detectors reach a maximum optical responsivity of 3.0 V/W and a minimum noise-equivalent power (NEP) of 700 pW/Hz^0.5. The successful demonstration of THz detection using CVD graphene introduces the possibility for scalable detector production.

Graphene field effect transistors

direct terahertz detection

CVD graphene

antenna-integrated detectors

Författare

Audrey Zak

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

MICHAEL ANDERSSON

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Maris Bauer

Alvydas Lisauskas

Hartmut Roskos

Jan Stake

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

39th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves, IRMMW-THz 2014, Tucson, United States, 14-19 September 2014

2162-2027 (ISSN)

Art. no. 6956250-

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Nanovetenskap och nanoteknik

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

Nanoteknik

Infrastruktur

Nanotekniklaboratoriet

DOI

10.1109/IRMMW-THz.2014.6956250

ISBN

978-1-4799-3877-3