A 474 GHz HBV Frequency Quintupler Integrated on a 20 µm Thick Silicon Substrate
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2015

We present a silicon integrated Heterostructure Barrier Varactor (HBV) frequency quintupler (x5) operating between 440 GHz and 490 GHz. By epitaxial transfer of InP-based HBV material structure onto silicon-on-insulator (SOI), a uniform and accurate thickness (20 µm) of the frequency quintupler chip is achieved. In a single stage this device delivers 2.8 mW of output power at 474 GHz, when pumped with 400 mW at 94.75 GHz, corresponding to conversion efficiency of 0.75%. The present device exhibits a 3-dB bandwidth of 4%.

submillimetre waves

epitaxial transfer

frequency multipliers

heterostructure barrier varactors

Compound semiconductors

wafer bonding

THz sources

monolithic integrated circuits

submillimeter wave diodes

Författare

Aleksandra Malko

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Tomas Bryllert

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Josip Vukusic

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Jan Stake

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology

2156-342X (ISSN)

Vol. 5 85-91 6998071

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Infrastruktur

Kollberglaboratoriet

Nanotekniklaboratoriet

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

DOI

10.1109/TTHZ.2014.2378793