A 474 GHz HBV Frequency Quintupler Integrated on a 20 µm Thick Silicon Substrate
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2015
We present a silicon integrated Heterostructure Barrier Varactor (HBV) frequency quintupler (x5) operating between 440 GHz and 490 GHz. By epitaxial transfer of InP-based HBV material structure onto silicon-on-insulator (SOI), a uniform and accurate thickness (20 µm) of the frequency quintupler chip is achieved. In a single stage this device delivers 2.8 mW of output power at 474 GHz, when pumped with 400 mW at 94.75 GHz, corresponding to conversion efficiency of 0.75%. The present device exhibits a 3-dB bandwidth of 4%.
submillimetre waves
epitaxial transfer
frequency multipliers
heterostructure barrier varactors
Compound semiconductors
wafer bonding
THz sources
monolithic integrated circuits
submillimeter wave diodes
Författare
Aleksandra Malko
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Tomas Bryllert
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Josip Vukusic
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Jan Stake
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology
2156-342X (ISSN) 21563446 (eISSN)
Vol. 5 1 85-91 6998071Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Infrastruktur
Kollberglaboratoriet
Nanotekniklaboratoriet
Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/TTHZ.2014.2378793