Comparing depth profiling of oxide scale on SOFC interconnect-materials using ToF-SIMS with Ga-69(+), Bi-3(+)/Cs+ and C-60(+)/C-60(2+) as primary and sputter ions
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2015
Oxide scale
Depth profiling
Secondary ion mass spectrometry
Solid oxide fuel cell
Författare
Josefin Hall
Chalmers, Kemi och kemiteknik, Energi och material
U. Bexell
Högskolan i Dalarna
John Fletcher
Göteborgs universitet
Sead Canovic
Chalmers, Kemi och kemiteknik, Energi och material
Per Malmberg
Chalmers, Kemi och kemiteknik, Energi och material
Göteborgs universitet
Materials at High Temperatures
0960-3409 (ISSN)
Vol. 32 1-2 133-141Ämneskategorier
Materialteknik
Kemiteknik
DOI
10.1179/0960340914z.00000000089