Monte carlo analysis of impact ionization in isolated-gate InAs/AlSb high electron mobility transistors
Paper i proceeding, 2011
Författare
Beatriz G. Vasallo
Universidad de Salamanca
H. Rodilla
Universidad de Salamanca
T. Gonzalez
Universidad de Salamanca
Eric Lefebvre
OSRAM Opto Semiconductors
Giuseppe Moschetti
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Jan Grahn
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
J. Mateos
Universidad de Salamanca
Acta Physica Polonica A
0587-4246 (ISSN) 1898794x (eISSN)
Vol. 119 2 222-224Semiconductor Nanodevices for Room temperature THz Emission and Detection (ROOTHz)
Europeiska kommissionen (EU) (EC/FP7/243845), 2010-01-01 -- 2013-01-31.
Ämneskategorier
Elektroteknik och elektronik
DOI
10.12693/APhysPolA.119.222