The Effect of Forward Gate Bias Stress on the Noise Performance of Mesa Isolated GaN HEMTs
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2015
Semiconductor device noise
MODFETs
semiconductor device reliability
robustness
MODFET amplifiers
Författare
Olle Axelsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Mattias Thorsell
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
K. Andersson
Ericsson AB
Niklas Rorsman
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Publicerad i
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
1530-4388 (ISSN) 15582574 (eISSN)
Vol. 15 Nummer/häfte 1 s. 40-46 art. nr 6960854Kategorisering
Ämneskategorier (SSIF 2011)
Elektroteknik och elektronik
Identifikatorer
DOI
10.1109/tdmr.2014.2372474