Olle Axelsson

Visar 11 publikationer

2017

Achieving Low-Recovery Time in AlGaN/GaN HEMTs With AlN Interlayer Under Low-Noise Amplifiers Operation

Tongde Huang, Olle Axelsson, Johan Bergsten et al
IEEE Electron Device Letters. Vol. 38 (7), p. 926-928
Artikel i vetenskaplig tidskrift
2016

Impact of Trapping Effects on the Recovery Time of GaN Based Low Noise

Olle Axelsson, Niklas Billström, Niklas Rorsman et al
IEEE Microwave and Wireless Components Letters. Vol. 26 (1), p. 31-33
Artikel i vetenskaplig tidskrift
2016

Influence on Noise Performance of GaN HEMTs With In Situ and Low-Pressure-Chemical-Vapor-Deposition SiNx Passivation

Tongde Huang, Olle Axelsson, Thi Ngoc Do Thanh et al
IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 63 (10), p. 3887-3892
Reviewartikel
2016

Application Relevant Evaluation of Trapping Effects in AlGaN/GaN HEMTs With Fe-Doped Buffer

Olle Axelsson, Sebastian Gustafsson, Hans Hjelmgren et al
IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 63 (1), p. 326-332
Artikel i vetenskaplig tidskrift
2015

The Effect of Forward Gate Bias Stress on the Noise Performance of Mesa Isolated GaN HEMTs

Olle Axelsson, Mattias Thorsell, K. Andersson et al
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability. Vol. 15 (1), p. 40-46
Artikel i vetenskaplig tidskrift
2015

Suppression of Dispersive Effects in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors Using Bilayer SiNx Grown by Low Pressure Chemical Vapor Deposition

Tongde Huang, Anna Malmros, Johan Bergsten et al
IEEE Electron Device Letters. Vol. 36 (6), p. 537-539
Artikel i vetenskaplig tidskrift
2015

Low-Pressure-Chemical-Vapor-Deposition SiNx Passivated AlGaN/GaN HEMTs for Power Amplifier Application

Tongde Huang, Olle Axelsson, Anna Malmros et al
2015 Asia-Pacific Microwave Conference (Apmc), Vols 1-3. Vol. 3
Paper i proceeding
2012

Noise temperature of an electronic tuner for noise parameter measurement systems

Olle Axelsson, Mattias Thorsell, Kristoffer Andersson et al
79th ARFTG Microwave Measurement Conference: Non-Linear Measurement Systems, ARFTG 2012, Montreal, QC: 22 June through 22 June 2012, p. Article number 6291197-
Paper i proceeding
2012

Highly linear gallium nitride MMIC LNAs

Olle Axelsson, Kristoffer Andersson
2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium, CSICS 2012, La Jolla, CA, 14 - 17 October 2012
Paper i proceeding
2011

Design and characterization of a highly linear 3 GHz GaN HEMT amplifier

Pirooz Chehrenegar, Olle Axelsson, Jan Grahn et al
2011 Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-Wave Circuits, INMMiC 2011. Vienna, 18-19 April 2011
Paper i proceeding
2011

Fabrication and Characterization of Thin-Barrier Al05Ga05N/AlN/GaN HEMTs

Jonathan Felbinger, Martin Fagerlind, Olle Axelsson et al
IEEE Electron Device Letters. Vol. 32 (7), p. 889-891
Artikel i vetenskaplig tidskrift

Ladda ner publikationslistor

Du kan ladda ner denna lista till din dator.

Filtrera och ladda ner publikationslista

Som inloggad användare hittar du ytterligare funktioner i MyResearch.

Du kan även exportera direkt till Zotero eller Mendeley genom webbläsarplugins. Dessa hittar du här:

Zotero Connector
Mendeley Web Importer

Tjänsten SwePub erbjuder uttag av Researchs listor i andra format, till exempel kan du få uttag av publikationer enligt Harvard och Oxford i .RIS, BibTex och RefWorks-format.

Det finns inga projekt att visa.
Det kan finnas fler projekt där Olle Axelsson medverkar, men du måste vara inloggad som anställd på Chalmers för att kunna se dem.