Fabrication and Characterization of InGaAlAs/InP based Uni-Traveling-Carrier Photodiodes
Paper i proceeding, 2006

We have fabricated and characterized InGaAlAs/InP uni-traveling-carrier photodiodes intended for photo-mixing and data-com applications. Bandwidths up to 60GHz were recorded with 8.5µm diameter devices for which a matched, integrated antenna-detector circuit has been designed.

UTC-PD

Terahertz source

Författare

Josip Vukusic

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Henrik Sunnerud

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Andreas Wiberg

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Mahdad Sadeghi

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Nanotekniklaboratoriet

Peter Andrekson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Jan Stake

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågs- och terahertzteknologi

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

The Joint 31st International Conference on Infrared and Millimeter Waves and 14th International Conference on Terahertz Electronics

138-

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Ämneskategorier

Telekommunikation

Annan elektroteknik och elektronik

Infrastruktur

Nanotekniklaboratoriet

ISBN

1-4244-0400-2