Low resistive Au-free, Ta-based, recessed ohmic contacts to InAlN/AlN/GaN heterostructures
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2015
ohmic contact
recess etch
GaN
high electron mobility transistor
InAlN
Au-free
Författare
Johan Bergsten
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Anna Malmros
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
M. Tordjman
Thales Group
P. Gamarra
Thales Group
C. Lacam
Thales Group
M. A. di Forte-Poisson
Thales Group
Niklas Rorsman
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Semiconductor Science and Technology
0268-1242 (ISSN) 1361-6641 (eISSN)
Vol. 30 10 105034- 105034Ämneskategorier
Elektroteknik och elektronik
DOI
10.1088/0268-1242/30/10/105034