Fabrication of nanowire growth templates by forming pinholes in SiOx on Si
Paper i proceeding, 2016

InAs nanowire growth is carried out on a thin grainy layer of SiOx on Si (111), utilizing the openings of pinholes in the SiOx layer by isotropic wet etching. SiOx layers with different thicknesses were deposited and etched down to different thicknesses, to investigate how the initial layer roughness and the etching depth influence the formation of pinholes and thereafter the NW growth.

Författare

Huan Zhao Ternehäll

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Elham Fadaly

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Mahdad Sadeghi

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Nanotekniklaboratoriet

The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Materialvetenskap

Ämneskategorier

Materialteknik

Elektroteknik och elektronik

Infrastruktur

Nanotekniklaboratoriet

DOI

10.1109/ICIPRM.2016.7528561

ISBN

978-1-5090-1964-9