Fabrication and improved performance of AlGaN/GaN HEMTs with regrown ohmic contacts and passivation-first process
Paper i proceeding, 2016
Regrowth
Passivation
High-electron-mobility transistors (HEMTs)
Författare
Tongde Huang
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
C. Liu
Hong Kong University of Science and Technology
Johan Bergsten
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
H. Jiang
Hong Kong University of Science and Technology
K. M. Lau
Hong Kong University of Science and Technology
Niklas Rorsman
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
2016 Compound Semiconductor Week, CSW 2016; Toyama, Japan
Article no. 7528722-
978-150901964-9 (ISBN)
Ämneskategorier
Den kondenserade materiens fysik
DOI
10.1109/ICIPRM.2016.7528722
ISBN
978-150901964-9