Comparison of the DC and microwave performance of AlGaN/GaN HEMTs grown on SiC by MOCVD with Fe-doped or unintentionally doped GaN buffer layers
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2006
Författare
Vincent Desmaris
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
Mariusz Rudzinski
Niklas Rorsman
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
Paul Hageman
Poul Larsen
Herbert Zirath
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
Thomas Röddle
Rik Jos
IEEE Transactions on Electron Devices
Vol. 53 9 2413-17
Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik