Comparison of the DC and microwave performance of AlGaN/GaN HEMTs grown on SiC by MOCVD with Fe-doped or unintentionally doped GaN buffer layers
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2006

Författare

Vincent Desmaris

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Mariusz Rudzinski

Niklas Rorsman

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Paul Hageman

Poul Larsen

Herbert Zirath

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Thomas Röddle

Rik Jos

IEEE Transactions on Electron Devices

Vol. 53 2413-17

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik