A flexible graphene terahertz detector
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2017
We present a flexible terahertz (THz) detector based on a graphene field-effect transistor fabricated on a plastic substrate. At room temperature, this detector reveals voltage responsivity above 2 V/W and estimated noise equivalent power (NEP) below 3 nW/Hz1/2 at 487 GHz. We have investigated the effects of bending strain on DC characteristics, voltage responsivity, and NEP of the detector, and the results reveal its robust performance. Our findings have shown that graphene is a promising material for the development of THz flexible technology.
plastic substrates
2D materials
field-effect transistors
flexible electronics
sensors
THz detectors
Graphene
Författare
Xinxin Yang
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Andrei Vorobiev
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Andrey Generalov
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
MICHAEL ANDERSSON
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Jan Stake
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Applied Physics Letters
0003-6951 (ISSN) 1077-3118 (eISSN)
Vol. 111 2 021102Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Nanovetenskap och nanoteknik (SO 2010-2017, EI 2018-)
Infrastruktur
Kollberglaboratoriet
Nanotekniklaboratoriet
Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik
Den kondenserade materiens fysik
DOI
10.1063/1.4993434