A flexible graphene terahertz detector
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2017

We present a flexible terahertz (THz) detector based on a graphene field-effect transistor fabricated on a plastic substrate. At room temperature, this detector reveals voltage responsivity above 2 V/W and estimated noise equivalent power (NEP) below 3 nW/Hz1/2 at 487 GHz. We have investigated the effects of bending strain on DC characteristics, voltage responsivity, and NEP of the detector, and the results reveal its robust performance. Our findings have shown that graphene is a promising material for the development of THz flexible technology.

plastic substrates

2D materials

field-effect transistors

flexible electronics

sensors

THz detectors

Graphene

Författare

Xinxin Yang

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Andrei Vorobiev

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Andrey Generalov

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

MICHAEL ANDERSSON

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Jan Stake

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Applied Physics Letters

0003-6951 (ISSN) 1077-3118 (eISSN)

Vol. 111 2 021102

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Nanovetenskap och nanoteknik

Infrastruktur

Kollberglaboratoriet

Nanotekniklaboratoriet

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

Den kondenserade materiens fysik

DOI

10.1063/1.4993434