Spin-Polarized Tunneling through Chemical Vapor Deposited Multilayer Molybdenum Disulfide
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2017
tunnel magnetoresistance
2D semiconductor
spin-polarized tunneling
multilayer MoS2
density functional theory
Författare
André Dankert
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Kvantkomponentfysik
Parham Pashaei
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2)
Venkata Kamalakar Mutta
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Kvantkomponentfysik
A.P.S. Gaur
University of Puerto Rico
Iowa State University
S. Sahoo
University of Puerto Rico
Institute of Physics Bhubaneswar
I. Rungger
National Physical Laboratory (NPL)
A. Narayan
Trinity College Dublin
Eidgenössische Technische Hochschule Zürich (ETH)
K. Dolui
University of Delaware
Trinity College Dublin
Anamul Md Hoque
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Kvantkomponentfysik
R.S. Patel
Birla Institute of Technology and Science Pilani
M.P. De Jong
MESA Institute for Nanotechnology
R.S. Katiyar
University of Puerto Rico
S. Sanvito
Trinity College Dublin
Saroj Prasad Dash
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Kvantkomponentfysik
ACS Nano
1936-0851 (ISSN) 1936-086X (eISSN)
Vol. 11 6 6389-6395Graphene-Based Revolutions in ICT And Beyond (Graphene Flagship)
Europeiska kommissionen (FP7), 2013-10-01 -- 2016-03-31.
Styrkeområden
Nanovetenskap och nanoteknik (2010-2017)
Materialvetenskap
Fundament
Grundläggande vetenskaper
Ämneskategorier
Nanoteknik
Infrastruktur
Chalmers materialanalyslaboratorium
Nanotekniklaboratoriet
DOI
10.1021/acsnano.7b02819