1060 nm single-mode vertical-cavity surface-emitting laser operating at 50 Gbit/s data rate
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2017

An energy efficient 1060 nm GaAs-based oxide-confined vertical-cavity surface-emitting laser designed for high-speed modulation and singlemode emission has been developed. A record data rate of 50 Gbit/ s at an energy dissipation of 100 fJ/ bit is demonstrated for a device with > 50 dB side-mode-suppression and 0.2 mA threshold current, making this laser a promising light source for long-reach optical interconnects.

frequency 2

phase imbalances

resistors

isolation resistors

45 GHz

frequency 0

compact dual-band five-way Wilkinson power divider

two-section impedance transformers

915 GHz

magnitude imbalances

RF performance

power dividers

Författare

Ewa Simpanen

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Johan Gustavsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Erik Haglund

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Emanuel Haglund

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Anders Larsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

W. V. Sorin

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

S. Mathai

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

M. R. Tan

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Electronics Letters

0013-5194 (ISSN) 1350-911X (eISSN)

Vol. 53 13 869-870

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

DOI

10.1049/el.2017.1165

Mer information

Senast uppdaterat

2018-07-23