Effect of high temperature oxidation of 4H-SiC on the near-interface traps measured by TDRC
Paper i proceeding, 2009
TDRC
MOS
High temperature oxidation
Interface trap density
Författare
Fredrik Allerstam
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Einar Sveinbjörnsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Materials Science Forum
0255-5476 (ISSN) 16629752 (eISSN)
Vol. 615 617 537-540978-087849334-0 (ISBN)
Ämneskategorier
Elektroteknik och elektronik
DOI
10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.537
ISBN
978-087849334-0