Design, fabrication and S-parameter characterization of a planar Goubau line from 0.75 THz to 1.1 THz for near-field on-wafer biosensing
Paper i proceeding, 2017
In order to minimize losses and the propagation of substrate modes, the structures were fabricated on a 30 μm benzocyclobutene (BCB) substrate on top of a high resistive silicon that acts as mechanical support.
The structures were characterized with on-wafer S-parameter measurements from 0.75 to 1.1 THz using Vector Network Analyser.
biosensing
on-wafer measurements
VNA
Planar Goubau line
THz
Författare
Juan Cabello Sanchez
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Helena Rodilla
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Vladimir Drakinskiy
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Jan Stake
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
8th International THz-Bio Workshop
Rome, Italy,
Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Livsvetenskaper och teknik (2010-2018)
Infrastruktur
Kollberglaboratoriet
Nanotekniklaboratoriet
Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik