[J]. Effect of AlN nucleation layer on the structural properties of bulk GaN grown on sapphire by molecular-beam epitaxy
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2005

Författare

Stefan Davidsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Fredrik Fälth

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Xinju Liu

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Herbert Zirath

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Thorvald Andersson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Journal of applied physics

Vol. 98 16109-

Ämneskategorier

Den kondenserade materiens fysik