Characterization of deep levels at GaAs/GaAs and GaAs/InAs interfaces grown by MBE-interrupted growth technique
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2007
Författare
M Kaniewska
Olof Engström
Fasta tillståndets elektronik
M Pacholak-Cybulska
Mahdad Sadeghi
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap
Physica Status Solidi (a)
Vol. 204 987-
Ämneskategorier
Fysik