Characterization of deep levels at GaAs/GaAs and GaAs/InAs interfaces grown by MBE-interrupted growth technique
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2007

Författare

M Kaniewska

Olof Engström

Fasta tillståndets elektronik

M Pacholak-Cybulska

Mahdad Sadeghi

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap

Physica Status Solidi (a)

Vol. 204 987-

Ämneskategorier

Fysik

Mer information

Skapat

2017-10-07