On V-ce Method: In Situ Temperature Estimation and Aging Detection of High-Current IGBT Modules Used in Magnet Power Supplies for Particle Accelerators
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2019
measuring circuits design
Aging detection
insulated gate bipolar transistor (IGBT)
magnet power supplies
V-ce method
temperature monitoring
particle accelerators
Författare
Panagiotis Asimakopoulos
CERN
Chalmers, Elektroteknik, Elkraftteknik
Konstantinos Papastergiou
CERN
Torbjörn Thiringer
Chalmers, Elektroteknik, Elkraftteknik
Massimo Bongiorno
Chalmers, Elektroteknik, Elkraftteknik
Gilles Le Godec
CERN
IEEE Transactions on Industrial Electronics
0278-0046 (ISSN) 15579948 (eISSN)
Vol. 66 1 551-560 8331865Ämneskategorier
Acceleratorfysik och instrumentering
Annan kemiteknik
Annan elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/TIE.2018.2823689