Electro-thermal simulations of a microwave 4H-SiC MESFET on high purity semi-insulating substrate
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2007
Simulation
Microwave
Silicon Carbide
Field effect transistor
Författare
Hans Hjelmgren
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Kristoffer Andersson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Joakim Eriksson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Per-Åke Nilsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Mattias Sudow
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Niklas Rorsman
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap
Solid-State Electronics
0038-1101 (ISSN)
Vol. 51 8 1144-1152Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik
DOI
10.1016/j.sse.2007.06.013